[研究筆記] 蒙地卡羅法與分子模擬之比較以及未來工作

蒙地卡羅法有較大的速度優勢，但只能求解穩態問題，對於研究的「應力分布變化」無法有太大貢獻。

故研究工具應以分子模擬法為主，下一步工作為尋找縮短計算成本的手段；飛秒雷射燒蝕研究的文獻使用分子模擬法者多為只探究雷射點以下深處的結構變化或燒蝕作用機制。

而本研究的「應力變化分布」可能需要更大規模的模擬尺度，加上「實驗設計」的要求，更限制了計算成本，故需搜尋簡化模型的手段。

目前有兩個方向：

1. 薄餅模型，只研究數個薄片(10 atoms, 20 atoms, etc.)，探究不同深度雷射穿擊的影響因子並建立回歸模型，最後與文獻實驗數據比較。
2. 1/4模型，在假定矽板燒蝕行為具平面等向的前提下(待求證)，將模型簡化成以雷射擊點為原點的第一象限，兩鄰端採週期邊界(待佐證)。

可將兩模型互相比較，例如第一薄餅模型分別作完整與1/4模型，若兩者結果相符，則第二薄餅開始皆用1/4模型，以減少計算時間。